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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quaternary non-volatile adder implemented with HfOx/TiOx/HfOx/TiOx multilayer-based resistive RAM 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2016 Ma, Wenjia; Zhou, Zheng; Zhu, Dongbin; Liu, Lifeng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 DESIGN   All Spin Artificial Neural Networks Based on Compound Spintronic Synapse and Neuron 会议论文 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), Lisbon, PORTUGAL, 2016-08-01 作者:  Zhang, Deming;  Zeng, Lang;  Cao, Kaihua;  Wang, Mengxing;  Peng, Shouzhong 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30 All Spin Artificial Neural Network (ASANN)  artificial synaptic device  compound spintronic device  magnetic tunnel junction (MTJ)  post-CMOS non-volatile memory (NVM) technologies  resistive RAM (RRAM)   All Spin Artificial Neural Networks Based on Compound Spintronic Synapse and Neuron 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON BIOMEDICAL CIRCUITS AND SYSTEMS, 2016, 卷号: 10, 页码: 828-836 作者:  Zhang, Deming;  Zeng, Lang;  Cao, Kaihua;  Wang, Mengxing;  Peng, Shouzhong 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 All Spin Artificial Neural Network (ASANN)  artificial synaptic device  compound spintronic device  magnetic tunnel junction (MTJ)  post-CMOS non-volatile memory (NVM) technologies  resistive RAM (RRAM)   Nonvolatile Logic and In Situ Data Transfer Demonstrated in Crossbar Resistive RAM Array 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015 Li, Haitong; Chen, Zhe; Ma, Wenjia; Gao, Bin; Huang, Peng; Liu, Lifeng; Liu, Xiaoyan; Kang, Jinfeng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 Resistive random access memory (RRAM)  nonvolatile logic  communication  crossbar array  STATEFUL LOGIC  ATOMIC SWITCH  MEMORY  DEVICES   A Self-Rectifying HfOx-Based Unipolar RRAM With NiSi Electrode 期刊论文 ieee electron device letters, 2012 Tran, X. A.; Zhu, W. G.; Gao, B.; Kang, J. F.; Liu, W. J.; Fang, Z.; Wang, Z. R.; Yeo, Y. C.; Nguyen, B. Y.; Li, M. F.; Yu, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/12 Resistive random access memory (RAM) (RRAM)  resistive switching  self-rectify  unipolar  MEMORY   低功率电阻开关在铜/氧化铪双层结构的类金刚石碳薄膜形成装置 会议论文 Shanghai, China, 2011-11-07 作者:  刘明;  李颖弢;  王明;  刘琦 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/11/04 新一代存储技术:阻变存储器 期刊论文 北京大学学报 自然科学版, 2011 王源; 贾嵩; 甘学温 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/11 不挥发性存储器  阻变存储器  电阻可逆转换  三维集成  多值存储   Resistance switching for RRAM applications 期刊论文 science china information sciences, 2011 Chen, Frederick T.; Lee, HengYuan; Chen YuSheng; Hsu YenYa; Zhang LiJie; Chen PangShiu; Chen WeiSu; Gu PeiYi; Liu WenHsing; Wang SuMin; Tsai ChenHan; Sheu, ShyhShyuan; Tsai MingJinn; Huang Ru 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/12 random access memory  storage  oxide  breakdown  oxygen  vacancies  THIN-FILM  LOW-POWER  BIPOLAR  LAYER   阻变存储器及其集成技术研究进展 期刊论文 微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 6，546-551 作者:  刘琦;  王艳;  李颖弢;  左青云;  刘明 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/06/01 非挥发性存储器  阻变存储器  电阻转变  Ir