阻变存储器及其集成技术研究进展

	阻变存储器及其集成技术研究进展
	刘琦; 王艳; 李颖弢; 左青云; 刘明; 龙世兵; 王琴; 胡媛; 张森
刊名	微电子学
	2009
卷号	39 期号:4 页码:6，546-551
关键词	非挥发性存储器阻变存储器电阻转变 Ir
ISSN号	1004-3365
其他题名	Progress in Development of Resistive RAM and Its -Integration Technology
英文摘要	在各种新型非挥发性存储器中，阻变存储器（RRAM）具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构，分类总结了常用的材料以及制备工艺，对RRAM阵列的集成方案进行了比较，并讨论了目前存在的问题；最后，对RRAM的研究趋势进行了展望。[著者文摘]
语种	中文
公开日期	2010-06-01
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/2174]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘琦,王艳,李颖弢,等. 阻变存储器及其集成技术研究进展[J]. 微电子学,2009,39(4):6，546-551.
APA	刘琦.,王艳.,李颖弢.,左青云.,刘明.,...&张森.(2009).阻变存储器及其集成技术研究进展.微电子学,39(4),6，546-551.
MLA	刘琦,et al."阻变存储器及其集成技术研究进展".微电子学 39.4(2009):6，546-551.