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Silicon carbide PIN diode detectors used in harsh neutron irradiation
期刊论文
SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, 2018, 卷号: 280, 页码: 245-251
作者:
Jin, P
;
Liu, LY
;
Li, FP
;
Bai, S
;
Cao, XZ
收藏
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浏览/下载：25/0
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提交时间：2019/09/24
Silicon carbide
Neutron detector
Performance degradation
Irradiation defect
Identifying defect energy levels using dlts under different electron irradiation conditions
期刊论文
Nuclear science and techniques, 2017, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Guo, Chun-Sheng
;
Wang, Ruo-Min
;
Zhang, Yu-Wei
;
Pei, Guo-Xi
;
Feng, Shi-Wei
收藏
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浏览/下载：32/0
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提交时间：2019/04/23
Electron irradiation
Deep level transient spectroscopy (dlts)
Minority carrier life time
Silicon diode
Analysis on the piezotronic effect in a strained piezo-Schottky junction with AC impedance spectroscopy
期刊论文
Nano Energy, 2017, 卷号: 36, 页码: 118-125
作者:
Li, Yunxia
;
Zhang, Zeming
;
Han, Weihua
;
Jiang, Changjun
;
Xie, Erqing
收藏
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浏览/下载：24/0
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提交时间：2017/07/17
Impedance spectroscopy
Piezotronic effect
Piezo-Schottky junction
ZnO nanowire arrays
氧化锌微纳结构光学微腔光电子学性能研究
学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2015
作者:
柳洋
收藏
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浏览/下载：61/0
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提交时间：2016/11/28
ZnO
平行四边形
类波导FP腔
Cross-WGM
ZnO/GaN
氧化锌微纳结构光学微腔光电子学性能研究
学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2015
作者:
柳洋
收藏
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浏览/下载：55/0
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提交时间：2016/11/28
ZnO
平行四边形
类波导FP腔
Cross-WGM
ZnO/GaN
Thermal annealing induced photocarrier radiometry enhancement for ion implanted silicon wafers
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 9
作者:
Liu Xian-Ming
;
Li Bin-Cheng
;
Huang Qiu-Ping
收藏
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2015/09/21
photocarrier radiometry
ion implantation
thermal annealing
silicon
Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser
专利
专利号: US7376163, 申请日期: 2008-05-20, 公开日期: 2008-05-20
作者:
AMANN, MARKUS CHRISTIAN
收藏
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2019/12/26
Monolithic Integration of Light Emitting Diodes, Photodetector and Receiver Circuit in Standard CMOS Technology
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Huang BJ
;
Zan Dong
;
Xu Zhang
收藏
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浏览/下载：35/0
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提交时间：2010/03/09
SILICON
γ-LiAlO2上非极性宽禁带半导体薄膜制备及其光谱特性研究
学位论文
硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2007
作者:
周健华
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浏览/下载：51/0
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提交时间：2016/11/28
GaN
ZnO
γ-LiAlO2
偏振透射谱
拉曼光谱
Optical analysis of AlGaInP laser diodes with real refractive index guided self-aligned structure
会议论文
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003
Xu Y
;
Zhu XP
;
Ye XJ
;
Kang XN
;
Cao Q
;
Guo L
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载：17/1
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提交时间：2010/10/29
finite-difference methods
AlGaInP laser diodes
RISA
OPERATION
LAYER
NM
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