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Dynamic Behavioral Modeling of Nonlinear Microwave Devices Using Real-Time Recurrent Neural Network 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2009, 卷号: 56, 期号: 5
作者:  Cao, Yazi;  Chen, Xi;  Wang, Gaofeng
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Self-consistent analysis of double-delta-doped inalas/ingaas/inp hemts 期刊论文
Chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 2735-2741
作者:  Li Dong-Lin;  Zeng Yi-Ping
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12
Self-consistent analysis of double-delta-doped InAlAs/InGaAs/InP HEMTs 期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 2735-2741
Li DL (Li Dong-Lin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/04/11
GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 5，2281-2285
作者:  尹军舰;  张海英;  李海鸥;  叶甜春
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High-performance enhancement-mode pseudomorphic InGaP/InGaAs/GaAs HEMT structures by gas source molecular beam epitaxy 外文期刊
2003
作者:  Li, AZ;  Chen, YQ;  Chen, JX;  Qi, M;  Liu, XC
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26
Power  
The keys to get high transconductance of algaas/ingaas/gaas pseudomorphic hemts devices 期刊论文
Solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 751-754
作者:  Cao, X;  Zeng, YP;  Kong, MY;  Pan, L;  Wang, BQ
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The keys to get high transconductance of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs devices 期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 751-754
Cao X; Zeng YP; Kong MY; Pan L; Wang BQ; Zhu ZP
收藏  |  浏览/下载：102/6  |  提交时间：2010/08/12
Semiconductor device incorporating a superlattice structure 专利
专利号: GB2341974A, 申请日期: 2000-03-29, 公开日期: 2000-03-29
作者:  ANTHONY, WILLIAM, HIGGS;  DAVID, GEOFFREY, HAYES;  ROBERT, GORDON, DAVIS
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