CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Proposal for Multi-Gate Spin Field-Effect Transistor 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2018, 卷号: 54
作者:  Wang, Gefei;  Wang, Zhaohao;  Lin, Xiaoyang;  Klein, Jacques-Olivier;  Zhao, Weisheng
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30
Comprehensive Understanding of Hot Carrier Degradation in Multiple-fin SOI FinFETs 其他
2015-01-01
Jiang, Hai; Yin, Longxiang; Li, Yun; Xu, Nuo; Zhao, Kai; He, Yandong; Du, Gang; Liu, Xiaoyan; Zhang, Xing
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
An Investigation of DC/AC Hot Carrier Degradation in Multiple-fin SOI FinFETs 其他
2015-01-01
Jiang, H.; Liu, X. Y.; Xu, N.; He, Y. D.; Du, G.; Zhang, X.
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
High performance tunnel field-effect transistor by gate and source engineering 期刊论文
nanotechnology, 2014
Huang, Ru; Huang, Qianqian; Chen, Shaowen; Wu, Chunlei; Wang, Jiaxin; An, Xia; Wang, Yangyuan
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/10
All-carbon-based field effect transistors fabricated by aerosol jet printing on flexible substrates 期刊论文
JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2013, 卷号: 23, 期号: 6
作者:  Cui, Z(崔铮);  Zhang, T*(张珽)
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/01/03
倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响的研究 会议论文
作者:  朱慧珑;  张珂珂;  刘云飞;  尹海洲
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/10/30
Self-depleted T-gate Schottky barrier tunneling FET with low average subthreshold slope and high ION/IOFF by gate configuration and barrier modulation 其他
2011-01-01
Huang, Qianqian; Zhan, Zhan; Huang, Ru; Mao, Xiang; Zhang, Lijie; Qiu, Yingxin; Wang, Yangyuan
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10
Self-Depleted T-gate Schottky Barrier Tunneling FET with Low Average Subthreshold Slope and High I-ON/I-OFF by Gate Configuration and Barrier Modulation 其他
2011-01-01
Huang, Qianqian; Zhan, Zhan; Huang, Ru; Mao, Xiang; Zhang, Lijie; Qiu, Yingxin; Wang, Yangyuan
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13
SOI  
多壁碳纳米管的掺氮改性及场效应管特性研究 期刊论文
物理化学学报, 2005
周晓龙; 柴扬; 李萍剑; 潘光虎; 孙晖; 申自勇; 张琦锋; 吴锦雷
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/10/23
Photoelectric integrated circuit 专利
专利号: JP1990001196A, 申请日期: 1990-01-05, 公开日期: 1990-01-05
作者:  SHIMIZU JUNICHI
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace