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Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
buffer layer
LPCVD
Monolithic integration of sampled grating DBR with electroabsorption modulator by combining selective-area-growth MOCVD and quantum-well intermixing
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 3670-3672
Liu, HB
;
Zhao, LJ
;
Pan, JQ
;
Zhu, HL
;
Zhou, F
;
Wang, BJ
;
Wang, W
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/03/08
TUNING RANGE
LASERS
TRANSMITTER
PERFORMANCE
MOVPE
High-efficiency GaN-based blue LEDs grown on nano-patterned sapphire substrates for solid-state lighting - art. no. 684103
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
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浏览/下载:134/0
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提交时间:2010/03/09
GaN
MOCVD
LED
nano-pattern
SEM
HRXRD
PL
Systematic investigation on the influence of the As-4 flux on the magnetic property of (In,Cr)As quantum dots
期刊论文
epl, 2008, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: art. no. 58007
作者:
Tan PH
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浏览/下载:160/34
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
FERROMAGNETISM
GROWTH
ARRAYS
Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585
Ran JX
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Li JP
;
Wang CM
;
Zeng YP
;
Li JM
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Mg memory effect
redistribution
AlGaN/GaN HBTs
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
FABRICATION
MQW electroabsorption modulator-integrated DFB laser modules for high-speed transmission
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 734-739
作者:
Pan JQ
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/04/11
VAPOR-PHASE EPITAXY
MONOLITHIC INTEGRATION
SELECTIVE GROWTH
LAYERS
DIODE
MOVPE
Electroabsoorption-modulated laser light-source module using selective area growth for 10 Gb/s transmission
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1259-1263
作者:
Pan JQ
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浏览/下载:91/0
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提交时间:2010/04/11
ultra-low-pressure
selective area growth
integrated optoelectronics
10 Gb/s
MOVPE
Parasitic reaction and its effect on the growth rate of AlN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 1, 页码: 72-75
作者:
Jiang DS
;
Li XY
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhao DG
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2010/04/11
growth rate
parasitic reaction
MOCVD
AlN
GAS-PHASE REACTIONS
MOVPE GROWTH
ALGAN MOVPE
ALXGA1-XN
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