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Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13
作者:
Wang, Xinhua
;
Zhang, Yange
;
Huang, Sen
;
Yin, Haibo
;
Fan, Jie
收藏
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2021/04/26
GaN
first-principles
formation mechanism of crystallized Si2N2O
interface editing
LPCVD-SiNx
near-conduction band states
Deposition Temperature and Heat Treatment on Silicon Nitride Coating Deposited by LPCVD
期刊论文
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2019, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: 1231
作者:
Liao Chun-Jing
;
Dong Shao-Ming
;
Jin Xi-Hai
;
Hu Jian-Bao
;
Zhang Xiang-Yu
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2019/12/26
silicon nitride coating
growth kinetic
deposition temperature
chemical composition
heat treatment
Study of Interface Traps in AlGaN/GaN MISHEMTs Using LPCVD SiNx as Gate Dielectric
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 824-831
作者:
Lu, Xing
;
Yu, Kun
;
Jiang, Huaxing
;
Zhang, Anping
;
Lau, Kei May
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/26
low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) SiNx
interface traps
current collapse
passivation
AlGaN/GaN MIS high electron mobility transistors (MISHEMTs)
High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2016
作者:
Liu XY(刘新宇)
;
Huang S(黄森)
;
Wang XH(王鑫华)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/05/08
Investigation of the interface between LPCVD-SiNx gate dielectric and III-nitride for AlGaN/GaN MIS-HEMTs
期刊论文
Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016
作者:
Wang XH(王鑫华)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2017/05/08
Remote catalyzation for growth of boron nitride nanotubes by low pressure chemical vapor deposition
期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 652
作者:
Wang, LJ
;
Li, TT
;
Ling, L
;
Luo, J
;
Zhang, K
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/11
Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8
作者:
Zhang, ZL(张志利)
;
Qin, SJ(秦双娇)
;
Fu, K(付凯)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Li, WY
收藏
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2017/03/11
Compatibility of AlN/SiNx Passivation With LPCVD-SiNx Gate Dielectric in GaN-Based MIS-HEMT
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 3
作者:
Hua, MY
;
Lu, YY
;
Liu, SH
;
Liu, C
;
Fu, K(付凯)
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
Substrate effect on the growth of monolayer dendritic MoS2 on LaAlO3 (100) and its electrocatalytic applications
期刊论文
2D MATERIALS, 2016
Li, Cong
;
Zhang, Yu
;
Ji, Qingqing
;
Shi, Jianping
;
Chen, Zhaolong
;
Zhou, Xiebo
;
Fang, Qiyi
;
Zhang, Yanfeng
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HYDROGEN EVOLUTION REACTION
ACTIVE EDGE SITES
MOLYBDENUM-DISULFIDE
ULTRATHIN NANOSHEETS
GRAIN-BOUNDARY
ATOMIC LAYERS
THIN-FILMS
CRYSTALLINE
CATALYST
Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:
Zhang, ZL(张志利)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Zhang, XD(张晓东)
;
Deng, XG(邓旭光)
;
Li, SM(李水明)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/03/11
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