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Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
;
J. W. Ben
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提交时间:2023/06/14
Comparative spectroscopic studies of MOCVD grown AlN films on Al2O3 and 6H-SiC
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2021, 卷号: 857, 期号: 13
作者:
J. H. Yin
;
D. H. Chen
;
H. Yang
;
Y. Liu
;
D. N. Talwar
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2022/06/13
Analysis of growth rate and crystal quality of AlN epilayers by flow-modulated metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 卷号: 137, 页码: 106336
作者:
Fangzheng Li
;
Lianshan Wang
;
Weizhen Yao
;
Yulin Meng
;
Shaoyan Yang
;
Zhanguo Wang
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2021/12/16
Polarization dependent infrared reflectivity studies of Si-doped MOCVD grown GaN/Sapphire epilayers
期刊论文
Materials Chemistry and Physics, 2020, 卷号: 252, 页码: 16
作者:
D. N. Talwar,H. H. Lin and Z. C. Feng
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提交时间:2021/07/06
Optical Characterization of GaN-Based Vertical Blue Light-Emitting Diodes on P-Type Silicon Substrate
期刊论文
Crystals, 2020, 卷号: 10, 期号: 7, 页码: 12
作者:
Y. Lei,H. Wan,B. Tang,S. Y. Lan,J. H. Miao,Z. H. Wan,Y. C. Liu and S. J. Zhou
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提交时间:2021/07/06
Anisotropic optical phonons in MOCVD grown Si-doped GaN/Sapphire epilayers
期刊论文
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, 2020, 卷号: 260, 页码: 10
作者:
D. N. Talwar, H. H. Lin and Z. C. Feng
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/07/06
Suppressing the luminescence of V cation -related point -defect in AlGaN grown by MOCVD on HVPE-AlN
期刊论文
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 520, 页码: 9
作者:
K. Jiang,X. J. Sun,J. W. Ben,Z. M. Shi,Y. P. Jia,Y. Chen,S. L. Zhang,T. Wu,W. Lu and D. B. Li
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2021/07/06
Epitaxial growth of polarization-graded AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors on pre-grown AlN templates
期刊论文
Materials Letters, 2020, 卷号: 281, 页码: 4
作者:
Y. R. Chen,Z. W. Zhang,G. Q. Miao,H. Jiang,Z. M. Li and H. Song
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提交时间:2021/07/06
Growth of high-quality AlN films on sapphire substrate by introducing voids through growth-mode modification
期刊论文
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 518, 页码: 7
作者:
B. Tang,H. P. Hu,H. Wan,J. Zhao,L. Y. Gong,Y. Lei,Q. Zhao and S. J. Zhou
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提交时间:2021/07/06
Characterization of Zn-doped GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
Rare Metals, 2020, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 1328-1332
作者:
C. T. Wu,Y. Zhou,Q. Y. Sun,L. Q. Huang,A. L. Li and Z. M. Li
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提交时间:2021/07/06
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