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地质与地球物理研究所 [2]
半导体研究所 [2]
北京大学 [1]
物理研究所 [1]
合肥物质科学研究院 [1]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2018 [2]
2017 [1]
2010 [2]
2009 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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High Anisotropy in Tubular Layered Exfoliated KP15
期刊论文
ACS NANO, 2018, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 1712-1719
作者:
Tian, Nan
;
Yang, Yanhan
;
Liu, Danmin
;
Liu, Xuelu
;
Tan, Ping-Heng
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2018/09/26
KP15
layered-like structure
anisotropy
anisotropic Raman response
anisotropic exciton emission
anisotropic excitation
High Anisotropy in Tubular Layered Exfoliated KP15
期刊论文
ACS NANO, 2018, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 1712-1719
作者:
Tian, Nan
;
Yang, Yanhan
;
Liu, Danmin
;
Liu, Xuelu
;
Tan, Ping-Heng
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/09/26
KP15
layered-like structure
anisotropy
anisotropic Raman response
anisotropic exciton emission
anisotropic excitation
Aspect ratio tuned red-shift of photoluminescence emission of PbSe nanorods investigated by electron holography
期刊论文
JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 493, 期号: 无, 页码: 385-392
作者:
Li, Ying
;
Du, Haifeng
;
Zhang, Jie
;
Liu, Zhengwang
;
Tian, Mingliang
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2018/07/04
Pbse Nanorods
Photoluminescence Emission
Aspect Ratio
Off-axis Electron Holography
Chloride Ions
Directly Probing the Anisotropic Optical Emission of Individual ZnO Nanorods
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2010, 卷号: 114, 期号: 25, 页码: 11081
Gao, M
;
Cheng, R
;
Li, WL
;
Li, YP
;
Zhang, XX
;
Xie, SS
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/09/17
WAVE-GUIDES
NANOWIRE
MULTICOLOR
LASERS
CAVITY
Directly Probing the Anisotropic Optical Emission of Individual ZnO Nanorods
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2010
Gao, Min
;
Cheng, Rui
;
Li, Wenliang
;
Li, Yanping
;
Zhang, Xiaoxian
;
Xie, Sishen
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/10
WAVE-GUIDES
NANOWIRE
MULTICOLOR
LASERS
CAVITY
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar gan on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:
Wei, T. B.
;
Hu, Q.
;
Duan, R. F.
;
Wei, X. C.
;
Huo, Z. Q.
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Hrxrd
Pl
Stacking fault
Hvpe
Gan
Semipolar
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:
Wei TB
;
Wei XC
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:84/6
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提交时间:2010/03/08
HRXRD
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Semipolar
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