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Epitaxial growth of perovskite (111) 0.65PMN-0.35PT films directly on wurtzite GaN (0002) surface 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 卷号: 124, 期号: 7
作者:  Xu, Xiaoke;  Zhao, Junliang;  Li, Guanjie;  Xu, Jiayue;  Li, Xiaomin
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Atomic-Scale Origin of Long-Term Stability and High Performance of p-GaN Nanowire Arrays for Photocatalytic Overall Pure Water Splitting 期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2016, 卷号: 28, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 8388-8397
作者:  Kibria, Md Golam;  Qiao, Ruimin;  Yang, Wanli;  Boukahil, Idris;  Kong, Xianghua
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/02
Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on gamma-LiAlO2 (302) substrates by MOCVD 期刊论文
Applied Surface Science, 2010, 卷号: 257, 期号: 4, 页码: 1181-1184
作者:  Qiu YX (邱永鑫);  Huang J (黄俊);  Xu K (徐科)
收藏  |  浏览/下载：185/63  |  提交时间：2011/03/13
Surface transformation and inversion domain boundaries in gallium nitride nanorods 期刊论文
Applied Physics Letter, 2009, 卷号: 95, 期号: 21, 页码: 211907
作者:  Xiao P;  Wang X;  Wang J;  Ke FJ(柯孚久);  Zhou M
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/03/01
Synthesis of large-scale gan nanowires by ammoniating ga2o3 films on co layer deposited on si(111) substrates 期刊论文
Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 2180-2183
作者:  Qin Li-Xia;  Xue Cheng-Shan;  Zhuang Hui-Zhao;  Yang Zhao-Zhu;  Chen Jin-Hua
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12
Ce/GaN(0001) interfacial formation and electronic properties 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 943
Xiao, WD; Guo, QL; Wang, EG
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17
Influence of high-temperature ain buffer thickness on the properties of gan grown on si(111) 期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40
作者:  Zhang, BS;  Wu, M;  Shen, XM;  Chen, J;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12
Gd on GaN(0001) surface: Growth, interaction, and Fermi level movement 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4847
Xiao, WD; Guo, QL; Xue, QK; Wang, EG
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17
Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：299/12  |  提交时间：2010/08/12
Semiconductor substrate made of a nitride III-V compound semiconductor having a wurtzite-structured crystal structure 专利
专利号: US6501154, 申请日期: 2002-12-31, 公开日期: 2002-12-31
作者:  MORITA, ETSUO;  IKEDA, MASAO;  KAWAI, HIROJI
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