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| 具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管 期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 卷号: 36, 页码: 543-549
作者: 刘强[1]; 蔡剑辉[2]; 何佳铸[3]; 王翼泽[4]; 张栋梁[5]
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| 远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2薄膜及HfO2/Ge界面性质研究 学位论文
2016, 2016
池晓伟
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法 专利
专利号: CN200910087807.2, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2010-12-29
作者: 陈世杰; 王文武 ; 朱慧珑; 陈大鹏
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2015/05/26 |
| 基于微孔SiO2栅介质的透明氧化物薄膜晶体管 期刊论文
材料导报, 2013, 卷号: 第6期, 页码: 33-36
作者: 颜钟惠; 王瑶; 吴国栋; 轩瑞杰; 李想
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| 抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法 专利
专利号: CN200910077522.0, 申请日期: 2012-11-14, 公开日期: 2010-07-21
作者: 陈世杰; 王文武; 陈大鹏
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 超深亚微米MOS电容SiO2栅介质的γ射线辐射损伤效应研究 学位论文
2012
作者: 王亚杰
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| 一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法 专利
申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2016-03-02
作者: 徐秋霞; 许高博
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/03/02 |
| 一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法 专利
申请日期: 2011-11-23,
作者: 徐秋霞; 许高博
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/07/03 |
| 沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102226270A, 申请日期: 2011-10-26, 公开日期: 2011-10-26
程新红; 徐大伟; 王中健; 夏超; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
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| 金属栅/高k栅介质/SiO2/Si栅结构的平带电压偏移和能带自对准的深入理解 会议论文
作者: 王文武
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2012/11/19 |
