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	具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管
	刘强[1]; 蔡剑辉[2]; 何佳铸[3]; 王翼泽[4]; 张栋梁[5]; 刘畅[6]; 任伟[7]; 俞文杰[8]; 刘新科[9]; 赵清太[10]
刊名	红外与毫米波学报
	2017
卷号	36页码:543-549
关键词	MoS2场效应晶体管 良好的亚阈值斜率 SiO2栅介质 界面态密度
ISSN号	1001-9014
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2182719
专题	上海大学
作者单位	1.[1]上海大学物理系量子与分子结构国际中心,材料基因研究院,上海200444 2.中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050[2]上海大学物理系量子与分子结构国际中心,材料基因研究院,上海200444 3.中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050[3]深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳518060[4]中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050[5]中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050[6]中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050[7]上海大学物理系量子与分子结构国际中心,材料基因研究院,上海200444[8]中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050[9]深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳518060[10]德国于利希研究中心,于利希52425,德国
推荐引用方式 GB/T 7714	刘强[1],蔡剑辉[2],何佳铸[3],等. 具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管[J]. 红外与毫米波学报,2017,36:543-549.
APA	刘强[1].,蔡剑辉[2].,何佳铸[3].,王翼泽[4].,张栋梁[5].,...&赵清太[10].(2017).具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管.红外与毫米波学报,36,543-549.
MLA	刘强[1],et al."具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管".红外与毫米波学报 36(2017):543-549.

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