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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 专利 专利号: CN108718030A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30 作者:  孙钱;  冯美鑫;  周宇;  高宏伟;  杨辉 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Diamond based field-effect transistors with SiNX and ZrO2 double dielectric layers 期刊论文 DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2016, 卷号: 69 作者:  Wang, W;  Fu, K(付凯);  Hu, C;  Li, FN;  Liu, ZC 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Diamond based field-effect transistors with SiNX and ZrO2 double dielectric layers 会议论文 作者:  Wang, W.;  Fu, K.;  Hu, C.;  Li, F. N.;  Liu, Z. C. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 Field-effect transistor  Conduction channel  Double dielectric layer  SiNX/ZrO2   半导体激光装置 专利 专利号: CN101483318B, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23 作者:  藤本康弘;  中谷东吾;  高山彻;  木户口勋 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18