×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [12]
清华大学 [11]
西安交通大学 [8]
新疆理化技术研究所 [7]
金属研究所 [5]
厦门大学 [2]
更多...
内容类型
期刊论文 [47]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2019 [1]
2018 [1]
2017 [3]
2016 [2]
2015 [5]
2014 [2]
更多...
学科主题
光电子学 [5]
半导体材料 [3]
Chemistry,... [1]
Physics [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共49条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:
Li, P (Li, Pei)[ 1 ]
;
He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, HongXia)[ 2,3 ]
;
Zhang, JX (Zhang, JinXin)[ 4 ]
;
Li, YH (Li, YongHong)[ 1 ]
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2020/01/10
SiGe HBTs
Oxide isolation
ELDRS
EHPs generation
Holes trapping
Protons transportation
Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-10
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hong-Xia)[ 2,3 ]
;
Pan, XY (Pan, Xiao-Yu)[ 3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 2 ]
;
Zhang, FQ (Zhang, Feng-Qi)[ 3 ]
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2018/11/20
Sige Hbt
Synergistic Effect
Single Event Effects
Total Ionizing Dose
Numerical Simulation of Bias Effect on Dose Rate Effect of SiGe Heterojunction Bipolar Transistor
期刊论文
Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology, 2017, 卷号: 51, 页码: 549-554
作者:
Ma, Ting
;
Zhang, Jin-Xin
;
He, Chao-Hui
;
Tang, Du
;
Li, Pei
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/11/26
Bias effects
Different biases
Dose-rate effects
Reverse bias
SiGe heterojunction bipolar transistor
TCAD software
Three-dimensional numerical simulations
Transient current
Heavy Ion and Laser Microbeam Induced Current Transients in SiGe Heterojunction Bipolar Transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 34
作者:
Li, Pei
;
He, Chao-Hui
;
Guo, Gang
;
Guo, Hong-Xia
;
Zhang, Feng-Qi
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/11/26
Three-dimensional simulation of fabrication process-dependent effects on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26
作者:
Zhang, Jin-Xin
;
He, Chao-Hui
;
Guo, Hong-Xia
;
Li, Pei
;
Guo, Bao-Long
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/11/26
SiGe HBT
3D simulation
single event effects
fabrication process dependence
Analysis, Design and Implementation of SiGe Wideband Dual-Feedback Low Noise Amplifier
期刊论文
2016, 2016
张为
;
宋博
;
付军
;
王玉东
;
崔杰
;
李高庆
;
张伟
;
刘志宏
;
Zhang Wei
;
Song Bo
;
Fu Jun
;
Wang Yudong
;
Cui Jie
;
Li Gaoqing
;
Zhang Wei
;
Liu Zhihong
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
Comparison of total dose effects on SiGe heterojunction bipolar transistors induced by different swift heavy ion irradiation
期刊论文
2016, 2016
孙亚宾
;
付军
;
许军
;
王玉东
;
周卫
;
张伟
;
崔杰
;
李高庆
;
刘志弘
;
Sun Ya-Bin
;
Fu Jun
;
Xu Jun
;
Wang Yu-Dong
;
Zhou Wei
;
Zhang Wei
;
Cui Jie
;
Li Gao-Qing
;
Liu Zhi-Hong
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8
作者:
Li, P (Li Pei)
;
Guo, HX (Guo Hong-Xia)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Zhang, JX (Zhang Jin-Xin)
;
Xiao, Y (Xiao Yao)
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2017/09/14
SiGe heterojunction bipolar transistor
single event effect
three-dimensional numerical simulation
laser microbeam experiment
Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 11
作者:
Li, P (Li Pei)
;
Guo, HX (Guo Hong-Xia)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Wen, L (Wen Lin)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2015/07/11
SiGe heterojunction bipolar transistor
single event effect
hardening design
dummy collector
Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:
Li Pei
;
Guo Hong-Xia
;
Guo Qi
;
Wen Lin
;
Cui Jiang-Wei
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/02
hardening design
SiGe heterojunction bipolar transistor
single event effect
dummy collector
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace