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Evaluation of interfacial misfit strain field of heterostructures using STEM nano secondary moire method
期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2022, 页码: 7
作者:
Zhao, Yao
;
Yang, Yang
;
Wen, Huihui
;
Liu, Chao
;
Huang XF(黄先富)
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2022/05/17
Mechanical and electronic properties of lateral graphene and hexagonal boron nitride heterostructures
期刊论文
CARBON, 2018, 卷号: 136, 页码: 286-291
作者:
Ge, Mei
;
Si, Chen
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/12/30
Density functional theory
Electronic properties
Energy gap
Heterojunctions
III-V semiconductors
Tensile strain
Tensile strength
Electronic behaviors
Hexagonal boron nitride
Interface effect
Mechanical and electronic properties
Misorientation angle
Non-monotonic variation
Uniaxial tensile strain
Graphene
Formation of Self-Connected Si0.8Ge0.2 Lateral Nanowires and Pyramids on Rib-Patterned Si(1110) Substrate
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 卷号: 12
作者:
Du L
;
Chen G
;
Lu W
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2018/11/20
SURFACE
GROWTH
HETEROSTRUCTURES
PERFORMANCE
Characteristics of Sn segregation in Ge/GeSn heterostructures
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 15
Li, H
;
Chang, C
;
Chen, TP
;
Cheng, HH
;
Shi, ZW
;
Chen, H
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/04/14
能带改性Si基应变Ge材料的制备及其发光性质
学位论文
2014, 2014
黄诗浩
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/01/12
能带工程
张应变锗
Si基Ge外延材料
绝缘层上硅锗/锗材料
室温光致发光
Si基SiGe/Ge/SiGe异质结构
Band engineering
Tensile strained Ge
Ge-on-Si
SGOI/GOI
Room temperature photoluminescence
Si-based SiGe/Ge/SiGe heterostructures
Progress in Ge/Si heterostructures for light emitters
期刊论文
chinese journal of optics, 2013, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 499-456
LIU Zhi ,LI Chuan-bo ,XUE Chun-lai ,CHENG Bu-wen
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2014/04/04
Thermal conductivity reduction in core-shell nanowires
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2011, 卷号: 84, 期号: 8
作者:
Hu, Ming
;
Zhang, Xiaoliang
;
Giapis, Konstantinos P.
;
Poulikakos, Dimos
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/12/18
Digital-circuit analysis of short-gate tunnel FETs for low-voltage applications
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011
Jing Zhuge
;
Verhulst, Anne S.
;
Vandenberghe, William G.
;
Dehaene, Wim
;
Huang, Ru
;
Wang, Yangyuan
;
Groeseneken, Guido
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
TRANSISTORS
Si基Ge/SiGe异质结构设计、外延及发光性质研究
学位论文
2011, 2010
陈阳华
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/02/14
低温Ge缓冲层技术
Si基Ge外延材料
Si基Ge/SiGe异质结构
室温光致发光
low-temperature Ge buffer layer
Si-based Ge epilayer
Si-based tensile-strained Ge/SiGe heterostructures
room temperature photoluminescence
Near-infrared femtosecond laser for studying the strain in si1-xgex alloy films via second-harmonic generation
期刊论文
Ieee photonics journal, 2010, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 974-980
作者:
Zhao, Ji-Hong
;
Cheng, Bu-Wen
;
Chen, Qi-Dai
;
Su, Wen
;
Jiang, Ying
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Femtosecond laser
Si1-xgex alloy
Strain
Second-harmonic generation
Crystal symmetry
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