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Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法 专利
专利号: CN105429001A, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2016-03-23
作者:  舒斌;  吴继宝;  古牧;  范林西;  陈景明
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Investigation of Coulomb scattering on sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well p-MOSFETs 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 卷号: 37
作者:  Wen Jiao[1];  Liu Qiang[2];  Liu Chang[3];  Wang Yize[4];  Zhang Bo[5]
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Ion-sensitive field-effect transistor with sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well for high voltage sensitivity 期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 115-118
作者:  Wen, Jiao[1];  Liu, Qiang[2];  Liu, Chang[3];  Wang, Yize[4];  Zhang, Bo[5]
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High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-kappa/metal-gate last process 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 83, 页码: 210-215
作者:  Liu, Chang[1];  Wen, Jiao[2];  Yu, Wenjie[3]
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Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 758-760
Yu, W; Zhang, B; Zhao, QT; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Mussler, G; Fox, A; Bourdelle, KK; Wang, X; Mantl, S
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Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si0.5Ge0.5 source 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2012, 卷号: 74, 页码: 97-101
Zhao, QT; Yu, WJ; Zhang, B; Schmidt, M; Richter, S; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Fox, A; Bourdelle, KK; Mantl, S
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/04/17
Formation and properties of GeOI prepared by cyclic thermal oxidation and annealing processes 期刊论文
2011
Hu Mei-Jiao; Li Cheng; Xu Jian-Fang; Lai Hong-Kai; Chen Song-Yan; 李成
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Formation and properties of GeOI prepared by cyclic thermal oxidation and annealing processes 期刊论文
2011
Hu Mei-Jiao; Li Cheng; Xu Jian-Fang; Lai Hong-Kai; Chen Song-Yan; 陈松岩
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12
High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2011, 卷号: 62, 期号: 1, 页码: 185-188
Yu,W; Zhang,B; Zhao,QT; Hartmann,JM; Buca,D; Nichau,A; Luptak,R; Lopes,JMJ; Lenk,S; Luysberg,M; Bourdelle,KK; Wang,X; Mantl,S
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/10
High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2011, 卷号: 62, 期号: 1, 页码: 185-188
Yu, W; Zhang, B; Zhao, QT; Hartmann, JM; Buca, D; Nichau, A; Luptak, R; Lopes, JMJ; Lenk, S; Luysberg, M; Bourdelle, KK; Wang, X; Mantl, S
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