已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| Simulation of threshold voltage adjustment by B+ implantation for pMOS-RADFET application 其他 2013-01-01 Wang, Shuaimin; Liu, Peng; Zhang, Jinwen 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2015/11/13
|
| Online measurement of the BEPC II background using RadFET dosimeters 期刊论文 2010, 2010 Gong Hui; Li Jin; Gong Guang-Hua; Li Yu-Xiong; Hou Lei; Shao Bei-Bei 收藏  |  浏览/下载:2/0 |
| 400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究 期刊论文 2010, 2010 宫辉; 李金; 杨世明; 邵贝贝; 龚光华; 李裕熊; 谢小希; GONG Hui; LI Jin; YANG Shi-Ming; SHAO Bei-Bei; GONG Guang-Hua; LI Yu-Xiong; XIE Xiao-Xi 收藏  |  浏览/下载:4/0 |
| BESⅢ晶体量能器累积剂量检测系统电子学设计 期刊论文 2010, 2010 宫辉; 李金; 邵贝贝; 龚光华; 杨世明; GONG Hui; LI Jin; SHAO Bei-bei; GONG Guang-hua; YANG Shi-ming 收藏  |  浏览/下载:3/0 |
| Study of the features of 400nm IMPL RADFET dosimeter 期刊论文 2010, 2010 Gong Hui; Li Jin; Yang Shi-Ming; Shao Bei-Bei; Gong Guang-Hua; Li Yu-Xiong; Xie Xiao-Xi 收藏  |  浏览/下载:3/0 |
| Online measurement of the BEPC II background using RadFET dosimeters 期刊论文 CHINESE PHYSICS C, 2009, 卷号: 33, 期号: 9, 页码: 774-776 作者: Gong, H; Li J(李金); Li, J; Gong, GH; Li, YX 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2016/06/28
|
| Online measurement of the BEPCII background using RadFET dosimeters 期刊论文 中国物理C, 2009, 期号: 9, 页码: 774-776 作者: Gong H(宫辉); Li J(李金); Gong GH(龚光华); Li YX(李裕熊); Hou L(侯磊) 收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2015/12/21
|
| Study of the features of 400nm IMPL RADFET dosimeter 期刊论文 HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2007, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: #REF! 作者: Gong, H; Li, J; Yang, SM; Shao, BB; Gong, GH 收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2016/04/13
|
| 400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究 期刊论文 高能物理与核物理, 2007, 期号: 3, 页码: 283-287 作者: 宫辉; 李金; 杨世明; 邵贝贝; 龚光华 收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2015/12/21
|