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Simulation of threshold voltage adjustment by B+ implantation for pMOS-RADFET application 其他
2013-01-01
Wang, Shuaimin; Liu, Peng; Zhang, Jinwen
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Online measurement of the BEPC II background using RadFET dosimeters 期刊论文
2010, 2010
Gong Hui; Li Jin; Gong Guang-Hua; Li Yu-Xiong; Hou Lei; Shao Bei-Bei
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400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究 期刊论文
2010, 2010
宫辉; 李金; 杨世明; 邵贝贝; 龚光华; 李裕熊; 谢小希; GONG Hui; LI Jin; YANG Shi-Ming; SHAO Bei-Bei; GONG Guang-Hua; LI Yu-Xiong; XIE Xiao-Xi
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BESⅢ晶体量能器累积剂量检测系统电子学设计 期刊论文
2010, 2010
宫辉; 李金; 邵贝贝; 龚光华; 杨世明; GONG Hui; LI Jin; SHAO Bei-bei; GONG Guang-hua; YANG Shi-ming
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Study of the features of 400nm IMPL RADFET dosimeter 期刊论文
2010, 2010
Gong Hui; Li Jin; Yang Shi-Ming; Shao Bei-Bei; Gong Guang-Hua; Li Yu-Xiong; Xie Xiao-Xi
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Online measurement of the BEPC II background using RadFET dosimeters 期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2009, 卷号: 33, 期号: 9, 页码: 774-776
作者:  Gong, H;  Li J(李金);  Li, J;  Gong, GH;  Li, YX
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Online measurement of the BEPCII background using RadFET dosimeters 期刊论文
中国物理C, 2009, 期号: 9, 页码: 774-776
作者:  Gong H(宫辉);  Li J(李金);  Gong GH(龚光华);  Li YX(李裕熊);  Hou L(侯磊)
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Study of the features of 400nm IMPL RADFET dosimeter 期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2007, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: #REF!
作者:  Gong, H;  Li, J;  Yang, SM;  Shao, BB;  Gong, GH
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400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究 期刊论文
高能物理与核物理, 2007, 期号: 3, 页码: 283-287
作者:  宫辉;  李金;  杨世明;  邵贝贝;  龚光华
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