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Multiple-quantum-well-induced unipolar carrier transport multiplication in AlGaN solar-blind ultraviolet photodiode
期刊论文
Photonics Research, 2021, 卷号: 9, 期号: 10, 页码: 1907-1915
作者:
L. Guo
;
K. E. Jiang
;
X. Sun
;
Z. Zhang
;
J. Ben
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提交时间:2022/06/13
AlInGaAs Multiple Quantum Well-Integrated Device with Multifunction Light Emission/Detection and Electro-Optic Modulation in the Near-Infrared Range
期刊论文
Acs Omega, 2021, 卷号: 6, 期号: 12, 页码: 8687-8692
作者:
X. Li
;
S. Y. Ni
;
Y. Jiang
;
J. Li
;
W. Wang
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2022/06/13
Uniting a III-Nitride Transmitter, Waveguide, Modulator, and Receiver on a Single Chip
期刊论文
Advanced Engineering Materials, 2021, 卷号: 23, 期号: 12
作者:
M. Xie
;
Y. Jiang
;
X. Gao
;
W. Cai
;
J. Yuan
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2022/06/13
Polarity Control and Nanoscale Optical Characterization of AlGaN-Based Multiple-Quantum-Wells for Ultraviolet C Emitters
期刊论文
ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2020, 卷号: 3, 期号: 6, 页码: 5335-5342
作者:
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Dai, Yijun
;
Cui, Mei
;
Li, Kuang-hui
收藏
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2020/12/16
LIGHT-EMITTING-DIODES
GAN GROWTH
PARAMETERS
WATER
Frequency comb with 100 GHz spacing generated by an asymmetric MQW passively mode-locked laser
期刊论文
OPTICS LETTERS, 2020, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 2760-2763
作者:
Lianping Hou
;
Yongguang Huang
;
Yihui Liu
;
Ruikang Zhang
;
Jiankun Wang
;
Baojun Wang
;
Hongliang Zhu
;
Bin Hou
;
Bocang Qiu
;
John H. Marsh
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2021/06/16
单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法
专利
专利号: CN110190515A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者:
窦志珍
;
曹广亮
;
刘留
;
苏小平
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/30
一种垂直腔面发射激光芯片
专利
专利号: CN208738609U, 申请日期: 2019-04-12, 公开日期: 2019-04-12
作者:
彭钰仁
;
贾钊
;
许晏铭
;
洪来荣
;
陈为民
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/24
一种VCSEL芯片及其制作方法
专利
专利号: CN109616871A, 申请日期: 2019-04-12, 公开日期: 2019-04-12
作者:
田宇
;
韩效亚
;
吴真龙
;
杜石磊
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/30
Cu/SiO_2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂
期刊论文
半导体技术, 2019, 页码: 189-193
作者:
郭春扬[1]
;
张瑞英[2]
;
刘纪湾[3]
;
王林军[4]
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/04/22
InGaAsP
多量子阱(MQW)
量子阱混杂(QWI)
Cu/SiO_2
快速热退火
蓝移
150 KeV proton irradiation effects on photoluminescence of GaInAsN bulk and quantum well structures
期刊论文
OPTICAL MATERIALS, 2019, 卷号: 97, 期号: 11, 页码: 1-6
作者:
Lei, QQ (Lei, Q. Q.)[ 1,2 ]
;
Aierken, A (Aierken, A.)[ 2,3 ]
;
Sailai, M (Sailai, M.)[ 2 ]
;
Heini, M (Heini, M.)[ 2,4 ]
;
Shen, XB (Shen, X. B.)[ 2 ]
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提交时间:2020/01/10
Dilute nitride
InGaAsN
Proton irradiation
Degradation
PL spectra
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