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Fundamental Triangular Interaction of Electron Trajectory Deviation and P-N Junction to Promote Redox Reactions for the High-Energy-Density Electrode 期刊论文
ACS Applied Materials and Interfaces, 2020, 卷号: 12, 期号: 26, 页码: 29404-29413
作者:  Shang, Wen;  Tan, Yongtao;  Kong, Lingbin;  Ran, Fen
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Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit 期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728
作者:  Xie, Ruiliang;  Yang, Xu;  Xu, Guangzhao;  Wei, Jin
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/11/19
A closed-form capacitance model for tunnel FETs with explicit surface potential solutions 期刊论文
应用物理杂志, 2014
Wang, Jiaxin; Wu, Chunlei; Huang, Qianqian; Wang, Chao; Huang, Ru
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一种新型的砷化镓平面肖特基变容管大信号模型 期刊论文
半导体学报, 2011
作者:  董军荣
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A MOS transistor with source/drain on insulator and channel doped in step-function profile 其他
2006-01-01
Li, Dingyu; Ke, Wei; Sun, Lei; Liu, Xiaoyan; Han, Ruqi; Zhang, Shengdong
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A MOS transistor with source/drain on insulator and channel doped in step-function profile 其他
2005-01-01
Li, Dingyu; Ke, Wei; Sun, Lei; Liu, Xiaoyan; Han, Ruqi; Zhang, Shengdong
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13
Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1992144297A, 申请日期: 1992-05-18, 公开日期: 1992-05-18
作者:  NISHIMOTO HIROYUKI
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