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Possibility of Doping CuGaSe2 n-Type by Hydrogen
期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2021, 卷号: 15
作者:
Han, Miaomiao
;
Deak, Peter
;
Zeng, Zhi
;
Frauenheim, Thomas
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/08/31
Element enrichment characteristics: Insights from element geochemistry of sphalerite in Daliangzi Pb-Zn deposit, Sichuan, Southwest China
期刊论文
JOURNAL OF GEOCHEMICAL EXPLORATION, 2018, 卷号: 186, 页码: 187-201
作者:
Yuan, Bo
;
Zhang, Changqing
;
Yu, Hongjun
;
Yang, Yaomin
;
Zhao, Yuexia
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/08/19
Element enrichment
Sphalerite
Mississippi Valley type
Mineral chemistry
LA-ICP-MS trace element analysis
Daliangzi deposit
Spatial and temporal distributions, metallogenic backgrounds and processes of indium deposits
期刊论文
ACTA PETROLOGICA SINICA, 2018, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 3611-3626
作者:
Xu Jing
;
Li XiaoFeng
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/03/21
Indium
Mineralogy
Occurrence
Enrichment mechanism
Mineralization
Anomalous indium incorporation and optical properties of high indium content InGaN grown by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 735, 页码: 1239-1244
作者:
Liu, Jianxun
;
Liang, Hongwei
;
Xia, Xiaochuan
;
Abbas, Qasim
;
Liu, Yang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
InGaN
High indium content
Optical properties
Indium incorporation
MOCVD
Iii-nitride light emitting diodes with tunnel junctions wafer bonded to a conductive oxide and having optically pumped layers
专利
专利号: WO2017136832A1, 申请日期: 2017-08-10, 公开日期: 2017-08-10
作者:
MUGHAL, ASAD J.
;
KOWSZ, STACY J.
;
FARRELL, ROBERT M.
;
YONKEE, BENJAMIN P.
;
YOUNG, ERIN C.
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/31
Strong Enhancement of Photoelectric Conversion Efficiency of Co-hybridized Polymer Solar Cell by Silver Nanoplates and Core-Shell Nanoparticles
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 卷号: 9, 期号: 6, 页码: 5358-5365
作者:
Shen, Wenfei
;
Tang, Jianguo
;
Wang, Yao
;
Liu, Jixian
;
Huang, Linjun
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2017/06/21
efficient polymer solar cells
metallic nanoparticles
LSPR effect
light scattering effect
avoid excitons quenching
Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 35-39
作者:
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/11/30
Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017
作者:
Yang, J.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Chen, P.
;
Zhu, J. J.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/02/05
Indium Incorporation Induced Morphological Evolution and Strain Relaxation of High Indium Content InGaN Epilayers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2017, 卷号: 17, 页码: 3411-3418
作者:
Liu, Jianxun
;
Liang, Hongwei
;
Xia, Xiaochuan
;
Liu, Yang
;
Liu, Jun
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/02
Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate
期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:
Jiang, T
;
Xu, SR
;
Zhang, JC
;
Li, PX
;
Huang, J(黄俊)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/11
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