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Self-selection RRAM Cell with Sub-mu A Switching Current and Robust Reliability Fabricated by High-K/Metal Gate CMOS Compatible Technology
其他
2016-01-01
Huang, Peng
;
Chen, Sijie
;
Zhao, Yudi
;
Chen, Bing
;
Gao, Bin
;
Liu, Lifeng
;
Liu, Xiaoyan
;
Kang, Jinfeng
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
Self-Selection RRAM Cell With Sub-mu A Switching Current and Robust Reliability Fabricated by High-K/Metal Gate CMOS Compatible Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016
Huang, Peng
;
Chen, Sijie
;
Zhao, Yudi
;
Chen, Bing
;
Gao, Bin
;
Liu, Lifeng
;
Chen, Yong
;
Zhang, Ziying
;
Bu, Weihai
;
Wu, Hanming
;
Liu, Xiaoyan
;
Kang, Jinfeng
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
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提交时间:2017/12/03
High-K/metal gate (HKMG)
nonliner
resistive random access memory (RRAM)
resistive switching
retention
ultralow switching current
OXIDE-BASED RRAM
DEVICE CHARACTERISTICS
CROSSBAR ARRAY
RESISTANCE
MODEL
Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device
期刊论文
Solid-State Electronics, 2016
作者:
Xu GB(许高博)
;
Zhou HJ(周华杰)
;
Zhu HL(朱慧珑)
;
Liu JB(刘金彪)
;
Wang Y(王垚)
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2017/05/09
Impact of Random Interface Traps and Random Dopants in High-k/Metal Gate Junctionless FETs
期刊论文
ieee 纳米技术汇刊, 2014
Wang, Yijiao
;
Huang, Peng
;
Wei, Kangliang
;
Zeng, Lang
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
Zhang, Xing
;
Kang, Jinfeng
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
High-k/metal gate (HKMG)
junctionless FET (JL-FET)
random dopant fluctuation (RDF)
random interface traps (RITs)
TCAD simulation
MOSFETS
FLUCTUATIONS
VARIABILITY
SIMULATION
Integration Issue of Tensile SiN Liner for Dual Stress Liner(DSL) in Gate-Last High-k/Metal Gate(HKMG) Process Flow
期刊论文
ECS Trans., 2013
作者:
Wang GL(王桂磊)
;
Yin HZ(尹海洲)
;
Qin ZL(秦长亮)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2014/10/30
Random Interface Trap Induced Fluctuation in 22nm High-k/Metal Gate Junctionless and Inversion-mode FinFETs
其他
2013-01-01
Wang, Yijiao
;
Wei, Kangliang
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
Kang, Jinfeng
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
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