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| 背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者: 韩五月
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| GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法 专利 专利号: CN201410005400.1, 申请日期: 2017-03-22, 公开日期: 2014-04-16 作者: 郑英奎 ; 赵妙 ; 欧阳思华 ; 李艳奎 ; 刘新宇![](/image/person.jpg)
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| 石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文 硕士: 中国科学院大学, 2015 作者: 徐昌一
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| GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 陶东言
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2015/05/29
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| GaN基SBD功率器件研究进展 期刊论文 微纳电子技术, 2014, 卷号: 51, 期号: 5 李迪
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| 高Al组分AlGaN日盲紫外光电器件的辐射效应研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013 作者: 张孝富
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2013/06/05
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| 高Al组分AlGaN日盲紫外光电器件的辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2013 作者: 张孝富
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2013/06/05
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| 基于多晶硅及氮化镓微型同位素电池的研制 学位论文 2013, 2013 姚淑琳
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| Fe 掺杂 GaN 核辐射探测器研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 姚昌胜
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:41/0  |  提交时间:2012/09/11
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| 氮化镓基肖特基光电器件的研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2010 作者: 储开慧
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2012/09/11
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