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| AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者: 贲建伟; 孙晓娟; 蒋科; 陈洋; 石芝铭
  收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2021/07/06
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| 不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 陈思远
收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2020/11/19
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| AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 期刊论文
物理学报, 2020, 卷号: 69, 期号: 12, 页码: 319-327
作者: 刘博阳; 宋文涛; 刘争晖; 孙晓娟; 王开明
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2021/07/06
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| AlGaN 基紫外 LED 材料生长及结构优化研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 李方政
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/11/12 |
| Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者: 胡培培
收藏 | 浏览/下载：76/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| AlN材料中缺陷调控及物性研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 贲建伟
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/08/24
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| AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 蒋科
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/08/24
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| 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 专利
专利号: CN108767659A, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06
作者: 汪莱; 王磊; 余佳东; 郝智彪; 罗毅
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种非极性紫外LED 专利
专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/12/24 |
