×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [58]
上海技术物理研究所 [3]
物理研究所 [1]
长春光学精密机械与物... [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [55]
会议论文 [5]
学位论文 [3]
专利 [1]
发表日期
2008 [3]
2007 [3]
2005 [9]
2004 [5]
2003 [6]
2002 [4]
更多...
学科主题
半导体物理 [18]
半导体材料 [14]
光电子学 [5]
红外基础研究 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共64条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
稀氮III-N-V半导体及InAs量子点的分子束外延生长和性能研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
刘昭麟
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/08/22
分子束外延
稀氮半导体
氮等离子体
Ga(In)Nas
Gansb
Inas量子点
光致发光谱
光调制反射光谱
原子力显微分析
快速热退火
质子注入
局域态
价带分裂
晶格弛豫
声子相关长度
态填充效应
砷化镓基5微米量子阱结构及其外延生长方法
专利
专利号: CN100382347C, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2008-04-16
作者:
牛智川
;
倪海桥
;
韩勤
;
张石勇
;
吴东海
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Evolution of valence-band alignment with nitrogen content in GaNAs/GaAs single quantum wells
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 93, 页码: 31904
作者:
Shao J(邵军)
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2011/07/08
Optimization of gainnas(sb)/gaas quantum wells at 1.3-1.55 mu m grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 125-128
作者:
Ni, H. Q.
;
Niu, Z. C.
;
Fang, Z. D.
;
Huang, S. S.
;
Zhang, S. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Quantum wells
Laser
光电功能材料的量子态特性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
王茺
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/08/14
光电功能材料
介电函数
压电调制光谱
光调制光谱
量子态
应变量子阱
Inas/ingaas量子点
光致发光光谱
Ganxas1-x合金薄膜
弧线形效应
锰氧化物p-n结
量子干涉效应
正磁电阻
标度理论
相干长度
Optimization of GaInNAs(Sb)/GaAs quantum wells at 1.3-1.55 mu m grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 125-128
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Fang, ZD (Fang, Z. D.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Wu, DH (Wu, D. H.)
;
Shun, Z (Shun, Z.)
;
Han, Q (Han, Q.)
;
Wu, RH (Wu, R. H.)
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2010/03/29
quantum wells
Gaas-based room-temperature continuous-wave 1.59 mu m gainnassb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 23, 页码: 3
作者:
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Zhao, H
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Optical properties and exciton localization in ganas/gaas
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 185-188
作者:
Luo, XD
;
Xu, ZY
;
Tan, PH
;
Ge, WK
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Ganas
Excitonic localization
Optical properties
High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with light emission up to 1.44 mu m grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 14
Wang, SM
;
Gu, QF
;
Wei, YQ
;
Sadeghi, M
;
Larsson, A
;
Zhao, QX
;
Wang, XD
;
Ma, CH
;
Xing, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2013/09/17
GAINNAS
PHOTOLUMINESCENCE
GAAS
GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性
期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2385-2388
罗向东
;
孙炳华
;
徐仲英
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2010/11/23
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace