×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [148]
物理研究所 [42]
西安光学精密机械研... [28]
厦门大学 [16]
苏州纳米技术与纳米... [12]
金属研究所 [8]
更多...
内容类型
期刊论文 [254]
专利 [27]
会议论文 [15]
学位论文 [4]
其他 [1]
发表日期
2019 [5]
2018 [3]
2017 [3]
2016 [9]
2014 [6]
2013 [6]
更多...
学科主题
半导体材料 [63]
光电子学 [14]
半导体物理 [9]
Materials ... [3]
红外探测材料与器件 [2]
Materials ... [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共301条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Influence of Fe in the buffer layer on the laser lift-off of AlGaN/GaN HEMT film: phenomena and mechanism
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 095024
作者:
Fen Guo
;
Quan Wang
;
Hongling Xiao
;
Lijuan Jiang
;
Wei Li
;
Chun Feng
;
Xiaoliang Wang
;
Zhanguo Wang
收藏
  |  
浏览/下载:52/0
  |  
提交时间:2021/05/25
Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:
X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2021/07/06
Integration of BaTiO3/CoFe2O4 multiferroic heterostructure on GaN semiconductor
期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2019, 卷号: 21, 期号: 43, 页码: 6545
作者:
Li, Guanjie
;
Li, Xiaomin
;
Zhu, Qiuxiang
;
Zhao, Junliang
;
Gao, Xiangdong
收藏
  |  
浏览/下载:58/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Lift-off method
专利
专利号: US20190115494A1, 申请日期: 2019-04-18, 公开日期: 2019-04-18
作者:
KOYANAGI, TASUKU
;
TAKEUCHI, HIROKI
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Epitaxial growth mechanism of perovskite (111) SrTiO3 on wurtzite (0002) GaN with single unit- cell TiN buffer layers
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 465, 页码: 1055
作者:
Li, Guanjie
;
Li, Xiaomin
;
Chen, Yongbo
;
Jia, Shasha
;
Xu, Xiaoke
收藏
  |  
浏览/下载:118/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Epitaxial growth
SrTiO3
GaN
TiN buffer layer
Pulsed laser deposition
High quality GaN buffer layer by isoelectronic doping and its application to 365 nm InGaN/AlGaN ultraviolet light-emitting diodes
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 471
作者:
Zhou, Shengjun
;
Xu, Haohao
;
Hu, Hongpo
;
Gui, Chengqun
;
Liu, Sheng
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/05
GaN
UV LEDs
Isoelectronic doping
TEM
Threading dislocation
SIMS
High quality GaN buffer layer by isoelectronic doping and its application to 365 nm InGaN/AlGaN ultraviolet light-emitting diodes
期刊论文
Applied Surface Science, 2019, 卷号: 471
作者:
Zhou, Shengjun
;
Xu, Haohao
;
Hu, Hongpo
;
Gui, Chengqun
;
Liu, Sheng
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire
期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 38, 页码: 11935-11941
作者:
Qi Y
;
Wang YY
;
Pang ZQ(庞振乾)
;
Dou ZP
;
Wei TB
收藏
  |  
浏览/下载:79/0
  |  
提交时间:2018/10/30
Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element
专利
专利号: EP3336981A1, 申请日期: 2018-06-20, 公开日期: 2018-06-20
作者:
TAKEUCHI, TETSUYA
;
AKASAKI, ISAMU
;
AKAGI, TAKANOBU
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si
期刊论文
Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6
作者:
Sun, Y.
;
Zhou, K.
;
Feng, M. X.
;
Li, Z. C.
;
Zhou, Y.
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/09/17
x-ray-diffraction
high-power
gan
dislocation
relaxation
films
Optics
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace