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Signal recovery of a Fabry-Pérot interferometric x-ray pulse detector based on the RadOptic effect 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2022, 卷号: 131, 期号: 6
作者:  Wang, Gang;  He, Kai;  Liu, Yiheng;  Yan, Xin;  Gao, Guilong
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Method for manufacturing semiconductor device and the semiconductor device 专利
专利号: US9373939, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-06-21
作者:  MORI, HIROKI;  TANAHASHI, TOSHIYUKI
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Electron-mediated ferromagnetism in Fe-doped InP: Theory and experiment 期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 097502
Dong S (Dong Shan); Zhu F (Zhu Feng)
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Method of producing semiconductor optical device 专利
专利号: US7772023, 申请日期: 2010-08-10, 公开日期: 2010-08-10
作者:  HIRATSUKA, KENJI
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Buried type semiconductor laser 专利
专利号: US20080049805A1, 申请日期: 2008-02-28, 公开日期: 2008-02-28
作者:  TAKIGUCHI, TOHRU;  WATATANI, CHIKARA
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Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing 期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554
作者:  Zhao, Y. W.;  Dong, Z. Y.
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Defect  
Annihilation of deep level defects in InP through high temperature annealing 期刊论文
journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 39847, 页码: 551-554
Zhao, YW; Dong, ZY
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defect  
Thermally induced fe atom transition from substitutional to interstitial sites in inp and its influence on material property 期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
作者:  Zhao You-Wen;  Miao Shan-Shan;  Dong Zhi-Yuan;  Lue Xiao-Hong;  Deng Ai-Hong
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Oxygen-doped Al-containing current blocking layers in active semiconductor devices in photonic integrated circuits (PICs) 专利
专利号: US7208770, 申请日期: 2007-04-24, 公开日期: 2007-04-24
作者:  KISH, JR., FRED A.;  HURTT, SHEILA;  JOYNER, CHARLES H.;  SCHNEIDER, RICHARD P.
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Generation and suppression of deep level defects in inp 期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1476-1479
作者:  Zhao You-Wen;  Dong Zhi-Yuan
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