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Large-Scale Epitaxial Growth of Ultralong Stripe BiFeO3 Films and Anisotropic Optical Properties 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 8557-8564
作者:  Wang, Han;  Wu, Haijun;  Chi, Xiao;  Li, Yangyang;  Zhou, Chenghang
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Large-Area Monolayer MoS2Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices 期刊论文
ACS Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:  P. Yang;  H. Yang;  Z. Wu;  F. Liao;  X. Guo
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Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices 期刊论文
Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:  P. Yang;  H. F. Yang;  Z. Y. Wu;  F. Y. Liao;  X. J. Guo
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Tuning ferroelectricity and ferromagnetism in BiFeO3/BiMnO3 superlattices 期刊论文
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 17, 页码: 9810-9816
作者:  Jin, Cai;  Geng, Wanrong;  Wang, Linjing;  Han, Wenqiao;  Zheng, Dongfeng
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Tuning ferroelectricity and ferromagnetism in BiFeO3/BiMnO3 superlattices 期刊论文
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 17, 页码: 9810-9816
作者:  Jin, Cai;  Geng, Wanrong;  Wang, Linjing;  Han, Wenqiao;  Zheng, Dongfeng
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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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Integration of BaTiO3/CoFe2O4 multiferroic heterostructure on GaN semiconductor 期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2019, 卷号: 21, 期号: 43, 页码: 6545
作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Zhu, Qiuxiang;  Zhao, Junliang;  Gao, Xiangdong
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Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy 期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 卷号: 62, 期号: 6, 页码: 6
作者:  Li, DaBing;  Li, XiaoHang;  Liu, HeNan;  Wang, Yong;  Wu, You
收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2019/05/22
Epitaxial growth of (111) BaTiO3 thin films on (0002) GaN substrates with SrTiO3/TiN buffer layers 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 9751
作者:  Jia, Shasha;  Li, Xiaomin;  Li, Guanjie;  Xie, Sijie;  Chen, Yongbo
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/26
Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates 专利
专利号: US10243105, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26
作者:  MATIAS, VLADIMIR
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