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| 基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法 专利
专利号: CN110190511A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者: 姬小利; 谭晓宇; 魏同波; 王军喜; 杨富华
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| 一种绿光激光器外延片及其制备方法 专利
专利号: CN105449522B, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16
作者: 杨静; 赵德刚; 陈平; 朱建军
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| 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法 专利
专利号: CN108808446A, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2018-11-13
作者: 邵慧慧; 徐现刚; 开北超; 李沛旭; 郑兆河
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| GaN基半导体器件及其制作方法 专利
专利号: CN106684213A, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2017-05-17
作者: 严威; 孙逸; 冯美鑫; 周宇; 孙钱
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| 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法 专利
专利号: CN106207754A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
作者: 马旺; 王成新; 徐现刚
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| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利号: CN103956653A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30
作者: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平
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| AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2014
作者: 陈一仁
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| AlGaN 成核层对SiC 衬底外延GaN 薄膜应力及缺陷影响的研究 期刊论文
人工晶体学报, 2014, 卷号: 43, 期号: 6, 页码: 1346-1350
作者: 徐明升; 胡小波; 徐现刚
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| 100mm直径硅衬底上MOCVD外延生长无裂纹GaN 期刊论文
半导体技术, 2013
作者: 徐小明; 包琦龙; 丛宏林; 罗军
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2014/10/30 |
