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	减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
	乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
	2014-07-30
著作权人	中国科学院半导体研究所
专利号	CN103956653A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
英文摘要	一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层；步骤2：采用光刻的方法，在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层，使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面；步骤3：在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极；步骤4：在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极，完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度，从而减小电子泄漏，提高GaN基蓝紫光激光器性能。
公开日期	2014-07-30
申请日期	2014-05-15
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90262]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	乐伶聪,赵德刚,江德生,等. 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法. CN103956653A. 2014-07-30.

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