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A new method to determine the 2DEG density distribution for passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 160-168
作者:
Fu, Chen
;
Lin, Zhaojun
;
Cui, Peng
;
Lv, Yuanjie
;
Zhou, Yang
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/11
AIGaN/AIN/GaN HFETs
2DEG density distribution
Passivation
Polarization Coulomb field scattering
Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 120, 页码: 389-394
作者:
Liu, Yan
;
Lin, Zhaojun
;
Cui, Peng
;
Fu, Chen
;
Lv, Yuanjie
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/11
AlGaN/AlN/GaN HFET
High-temperature electron mobility
Polarization
Coulomb field scattering
Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9
作者:
Liu, Yan
;
Lin, Zhao-Jun
;
Lv, Yuan-Jie
;
Cui, Peng
;
Fu, Chen
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/11
AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs)
parasitic source resistance
polarization Coulomb field scattering
Determination of the strain distribution for the Si3N4 passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 卷号: 111, 页码: 806-815
作者:
Fu, Chen
;
Lin, Zhaojun
;
Liu, Yan
;
Cui, Peng
;
Lv, Yuanjie
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/11
AlGaN/AlN/GaN HFETs
Strain distribution
Passivation
Polarization
coulomb field scattering
Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
AIP ADVANCES, 2017, 卷号: 7, 期号: 8
作者:
Liu, Yan
;
Lin, Zhaojun
;
Cui, Peng
;
Zhao, Jingtao
;
Fu, Chen
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
Effects of Floating Gate Structures on the Two-Dimensional Electron Gas Density and Electron Mobility in AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2017, 卷号: 71, 期号: 12, 页码: 963-967
作者:
Zhao, Jingtao
;
Zhao, Zhenguo
;
Chen, Zidong
;
Lin, Zhaojun
;
Xu, Fukai
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/12
AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
Polarization
Coulomb field scattering
Floating gate structures
Two-dimensional
electron gas
Polarization charges
Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 期号: 09, 页码: 393-399
作者:
Liu Y(刘艳)
;
Lin ZJ(林兆军)
;
Lv YJ(吕元杰)
;
Cui P(崔鹏)
;
Fu C(付晨)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/12
Al Ga N/Al N/Ga N heterostructure field-effect transistors(HFETs)
parasitic source resistance
polarization Coulomb field scattering
Determination of the strain distribution for the Si3N4passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 111, 页码: 806-815
作者:
Fu, Chen
;
Lin, Zhaojun
;
Liu, Yan
;
Cui, Peng
;
Lv, Yuanjie
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/12
The role of polarization coulomb field scattering in the electron mobility of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2016, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 883-888
作者:
Liu, Yan
;
Lin, Zhaojun
;
Zhao, Jingtao
;
Yang, Ming
;
Shi, Wenjing
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/16
AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
Polarization
Coulomb field scattering
Two-dimensional electron gas electron mobility
Effect of polarization Coulomb field scattering on low temperature electron mobility in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
MODERN PHYSICS LETTERS B, 2016, 卷号: 30, 期号: 35
作者:
Liu, Yan
;
Lin, Zhao-Jun
;
Yang, Ming
;
Luan, Chong-Biao
;
Wang, Yu-Tang
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/16
AlGaN/AlN/GaN heterostructure
field-effect transistor
polarization
Coulomb field scattering
two-dimensional electron gas
electron
mobility
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