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期刊论文 [29]
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发表日期
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短漂移区静电感应晶体管的特性研究
期刊论文
半导体技术, 2013, 期号: 3, 页码: 194-198
作者:
张琳娇
;
杨建红
;
刘亚虎
;
朱延超
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶体管(SIT)
短漂移区
势垒
I-V特性
响应时间
复合结构静电感应晶体管的终端造型
期刊论文
科技信息, 2011, 期号: 25, 页码: 11-12
-
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/04/28
复合结构SIT
限场环
切断环
复合结构静电感应晶体管的终端造型
期刊论文
科技信息, 2011, 期号: 25, 页码: 11-12
作者:
朱筠
;
李思渊
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/04/27
复合结构SIT
限场环
切断环
埋栅型静电感应器件研制中的外延技术
期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: 5, 页码: 384-387
作者:
雷景丽
;
李思渊
;
李海蓉
;
李海霞
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
工艺
外延层
反型
自掺杂
埋栅型静电感应器件研制中的外延技术
期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: 2008年05期, 页码: 384-387
作者:
雷景丽
;
李思渊
;
李海蓉
;
李海霞
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/13
工艺
外延层
反型
自掺杂
槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: 1, 页码: 65-67
作者:
杨涛
;
刘肃
;
李思渊
;
王永顺
;
李海蓉
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶体管
V形槽
等离子体增强化学气相淀积
肖特基势垒
BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成
期刊论文
电力电子技术, 2007, 期号: 7, 页码: 98-100
作者:
杨建红
;
汪再兴
;
张辉
;
闫锐
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
晶体管
电学性能/偶极区
电导调制
双极型晶体管
一种新型结构的静电感应晶体管
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 918-922
作者:
唐莹
;
刘肃
;
李思渊
;
吴蓉
;
常鹏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶体管
深槽结构
寄生效应
深槽腐蚀
Deep groove structure
Parasitic effect
Static induction transistor (SIT)
GaN肖特基SIT的Monte Carlo模拟
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 13-17
作者:
郭宝增[1]
;
师建英[2]
;
宫娜[3]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/31
蒙特卡罗方法
静电感应晶体管
氮化镓
Space Charges Effect of Static Induction Transistor
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 423-428
作者:
Chen JH(陈金伙)
;
Liu S(刘肃)
;
Wang YS(王永顺)
;
Li SY(李思渊)
;
Zhang FJ(张福甲)
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/28
静电感应晶体管
空间电荷效应
空间电荷势垒
沟道势垒
SCLC
CVBC
Channel barrier
Channel voltage barrier control (CVBC)
I-V equation
Space charge effect (SCE)
Space charge limited control (SCLC)
Space charge potential barrier
Static induction transistor (SIT)
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