Space Charges Effect of Static Induction Transistor

	Space Charges Effect of Static Induction Transistor
	Chen JH(陈金伙); Liu S(刘肃); Wang YS(王永顺); Li SY(李思渊); Zhang FJ(张福甲)
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	2005-03-08
卷号	26 期号:3 页码:423-428
关键词	静电感应晶体管空间电荷效应空间电荷势垒沟道势垒 SCLC CVBC Channel barrier Channel voltage barrier control (CVBC) I-V equation Space charge effect (SCE) Space charge limited control (SCLC) Space charge potential barrier Static induction transistor (SIT)
ISSN号	02534177
其他题名	Space charges effect of static induction transistor
通讯作者	Chen, J.
中文摘要	研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒调制下的I V特性的解析表达式,实验结果表明它们符合得较好.在漏压增长过程中,有两种势垒出现(沟道势垒和空间电荷势垒),它们分别对应于沟道势垒调制和空间电荷势垒调制模式.随漏压增加,SIT逐渐从沟道势垒调制模式转向空间电荷势垒调制模式,对此转变物理过程给出合理解释,直观地给出了SIT在空间电荷效应作用下的变化规律.由于SIT小电流区域的沟道势垒调制使 SIT区别于其他器件,其中栅压对SIT空间电荷效应有非常重要的作用.
学科主题	701.1 Electricity: Basic Concepts and Phenomena;712.1 Semiconducting Materials;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102958]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Chen JH,Liu S,Wang YS,et al. Space Charges Effect of Static Induction Transistor[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):423-428.
APA	陈金伙,刘肃,王永顺,李思渊,&张福甲.(2005).Space Charges Effect of Static Induction Transistor.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,26(3),423-428.
MLA	陈金伙,et al."Space Charges Effect of Static Induction Transistor".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 26.3(2005):423-428.