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| 半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构 专利
专利号: CN110323670A, 申请日期: 2019-10-11, 公开日期: 2019-10-11
作者: 刘建平; 江灵荣; 田爱琴; 杨辉
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| 一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法 专利
专利号: CN109841501A, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
作者: 方志来; 吴征远; 田朋飞; 闫春辉; 张国旗
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| 一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法 专利
专利号: CN109830581A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31
作者: 方志来; 吴征远; 田朋飞; 闫春辉; 张国旗
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| 铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109449223A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者: 芦鹏飞; 张凡; 梁丹; 王庶民; 张丽
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| 分子束外延InGaN合金及其光电导行为研究 学位论文
: 大连理工大学, 2018
作者: 郑显通
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| 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
李巍
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| 薄膜晶体管及制备方法和交互式显示装置 专利
专利号: CN106206681A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
作者: 梁凌燕; 谢玉芳; 曹鸿涛
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| 半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN105790072A, 申请日期: 2016-07-20, 公开日期: 2016-07-20
作者: 周坤; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
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| 一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法 专利
专利号: CN103855263A, 申请日期: 2014-06-11, 公开日期: 2014-06-11
作者: 贺龙飞; 陈志涛; 刘宁炀; 赵维; 张志清
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| 离子辐照缺陷对太赫兹波发射性能的影响 期刊论文
核技术, 2014, 期号: 4, 页码: 48-53
黄灿; 杨康; 马明旺; 海洋; 张增艳; 赵红卫; 朱智勇
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