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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种基于AlGaAs/GaInP有源区的795nm量子阱激光器 专利 专利号: CN108346973A, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31 作者:  徐现刚;  李沛旭 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 一种超晶格波导半导体激光器结构 专利 专利号: CN103384046A, 申请日期: 2013-11-06, 公开日期: 2013-11-06 作者:  李特;  张月;  李再金;  郝二娟;  邹永刚 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 ULSI化学机械抛光的研究与展望 期刊论文 微电子学, 2005, 期号: 03 张楷亮; 宋志棠; 封松林; Chen Bomy 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 异质结双极晶体管  铝镓铟磷/砷化镓  直流特性   砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 专利 专利号: CN200510088980.6, 公开日期: 2007-02-07 作者:  叶甜春;  张海英;  尹军舰;  李海鸥 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 专利 专利号: CN200510088979.3, 公开日期: 2007-02-07 作者:  张海英;  叶甜春;  尹军舰;  李海鸥 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/26 砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料 专利 专利号: CN200510011893.0, 公开日期: 2006-12-13 作者:  张海英;  李海鸥;  尹军舰;  叶甜春;  和致经 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26