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总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  赵京昊
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/07/15
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2019/06/21
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2020/03/19
超深亚微米Flash存储器可靠性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2018
作者:  李梅
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2018/09/05
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  汪波
收藏  |  浏览/下载:193/0  |  提交时间:2016/09/27
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:  汪波
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2016/09/27
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2016/06/02
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2016/06/02
超深亚微米工艺下基于热量分区的SoC热感知测试调度方法 期刊论文
计算机应用研究, 2015, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 3682-3684,3696
作者:  焦铬;  李浪;  刘辉;  邹祎
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/24


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