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| 总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 赵京昊 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/07/15
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| 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹 收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2019/06/21
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| 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹 收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2020/03/19
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| 超深亚微米Flash存储器可靠性研究 学位论文 : 中国科学院大学, 2018 作者: 李梅 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2018/09/05 |
| 3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者: 汪波 收藏  |  浏览/下载:193/0  |  提交时间:2016/09/27
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| 3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016 作者: 汪波 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2016/09/27
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| 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263 作者: 郑齐文; 崔江维; 王汉宁; 周航; 余徳昭; 魏莹; 苏丹丹 收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2016/06/02
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| 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263 作者: 郑齐文; 崔江维; 王汉宁; 周航; 余徳昭; 魏莹; 苏丹丹 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2016/06/02
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| 超深亚微米工艺下基于热量分区的SoC热感知测试调度方法 期刊论文 计算机应用研究, 2015, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 3682-3684,3696 作者: 焦铬; 李浪; 刘辉; 邹祎 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/24
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