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4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化 期刊论文
半导体技术, 2023, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 977-984
作者:  章宇;  陈诺夫;  张芳;  余雯静;  胡文瑞
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宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展 期刊论文
强激光与粒子束, 2019, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 18-23
作者:  肖龙飞;  徐现刚
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11
锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究 期刊论文
无机材料学报, 2018, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 535-539
作者:  李天;  陈秀芳;  杨祥龙;  谢雪健;  张福生
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11
物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究 期刊论文
无机材料学报, 2018, 卷号: 33, 期号: 8, 页码: 1-6
作者:  崔潆心;  胡小波;  徐现刚
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11
As-grown Surface Morphologies of SiC Single Crystals Grown by PVT Method [物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究] 期刊论文
Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials, 2018, 卷号: 33, 期号: 8, 页码: 877-882
作者:  Cui, Ying-Xin;  Hu, Xiao-Bo;  Xu, Xian-Gang
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11
用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚 专利
申请日期: 2017-06-27, 公开日期: 2017-06-27
作者:  杨祥龙;  徐现刚;  胡小波;  陈秀芳;  彭燕
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物 理 气 相 传 输法碳 化 硅 晶 体生 长的遗 传 算 法 逆 向模 拟 优 化 学位论文
2017
作者:  苏娟
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/26
基于PVT法自发形核生长AlN晶体的研究 期刊论文
半导体光电, 2017, 页码: 680-684
作者:  曹凯[1];  汪佳[2];  王智昊[3];  任忠鸣[4];  邓康[5]
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/26
Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷 期刊论文
无机材料学报, 2016, 卷号: 31, 期号: 11, 页码: 1166-1170
作者:  张福生[1];  陈秀芳[1,2];  崔潆心[1];  肖龙飞[1];  谢雪健[1]
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/17
一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法 专利
申请日期: 2015-09-30, 公开日期: 2015-09-30
作者:  徐现刚;  杨祥龙;  胡小波;  彭燕;  陈秀芳
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