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	一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法
	徐现刚; 杨祥龙; 胡小波; 彭燕; 陈秀芳
	2015-09-30
权利人	山东大学
公开日期	2015-09-30
URL标识	查看原文
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6454168
专题	山东大学
推荐引用方式 GB/T 7714	徐现刚,杨祥龙,胡小波,等. 一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法. 2015-09-30.

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