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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高铝粉煤灰中金属镓电解提取技术基础与应用 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2016 作者:  刘玲 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/03/29 高铝粉煤灰,金属镓,界面改性电沉积,解耦与协同作用,过程强化   高铝粉煤灰中金属镓电解提取技术基础与应用 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者:  刘玲 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2016/11/09 高铝粉煤灰  金属镓  界面改性电沉积  解耦与协同作用  过程强化   硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜 期刊论文 2008, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 853-858 作者:  孙振翠[1];  曹文田[2];  王书运[2];  薛成山[2];  伊长虹[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/28 Ga2O3  薄膜  GaN薄膜  射频磁控溅射  扩镓时间   不同条件对扩镓硅基GaN晶体膜质量影响的XRD分析 期刊论文 2005, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 292-294 作者:  王书运[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04 Ga2O3薄膜  GaN晶体膜  射频磁控溅射  扩镓时间  氮化时间   扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析 期刊论文 2004, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 75-79 作者:  王书运[1];  孙振翠[1];  曹文田[1];  薛成山[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 Ga2O3薄膜  GaN晶体膜  射频磁控溅射  扩镓时间  氮化时间   氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响 期刊论文 2004, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 364-368 作者:  曹文田[1];  孙振翠[1];  魏芹芹[1];  薛成山[1];  庄惠照[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 射频磁控溅射  Ga2O3薄膜  GaN晶体膜  氮化温度  氮化时间  半导体