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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A new method to determine the 2DEG density distribution for passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 160-168 作者:  Fu, Chen;  Lin, Zhaojun;  Cui, Peng;  Lv, Yuanjie;  Zhou, Yang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 AIGaN/AIN/GaN HFETs  2DEG density distribution  Passivation  Polarization Coulomb field scattering   Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 120, 页码: 389-394 作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhaojun;  Cui, Peng;  Fu, Chen;  Lv, Yuanjie 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11 AlGaN/AlN/GaN HFET  High-temperature electron mobility  Polarization  Coulomb field scattering   Determination of the polarization and strain distribution in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2018, 卷号: 123, 页码: 223-227 作者:  Yang, Ming;  Lv, Yuanjie;  Cui, Peng;  Liu, Yan;  Fu, Chen 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11 AlGaN/GaN HFETs  Polarization and strain distribution  Polarization  coulomb field scattering