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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 372, 期号: 0, 页码: 43-48 作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, K(徐科);  Su, XJ(苏旭军);  Yang, H(杨辉);  Zhou, TF(周桃飞) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/01/12 Defects  Etching  Hydride vapor phase epitaxy  Nitrides   Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 46, 期号: 20 作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, Y(徐俞);  Yang, H(杨辉);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2014/01/15 VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  RAMAN-SCATTERING  ORGANIC-SOLIDS  GROWTH  ABLATION  FEMTOSECOND  LAYERS   Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10 作者:  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/01/13 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffer layer growth by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 363, 期号: 0, 页码: 44-48 作者:  Ji, L(季莲);  Zhao, YM(赵勇明);  Yang, H(杨辉);  Dong, JR(董建荣);  Lu, SL(陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/01/09 Organometallic vapor phase epitaxy   GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER 期刊论文 Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2 C. J. Dong; M. Xu; W. Lu; Q. Z. Huang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/12/24 Thin films  nitrides  sputtering  microstructure  chemical-vapor-deposition  molecular-beam epitaxy  optical-properties  lattice-constants  phase epitaxy  wurtzite inn  thin-films  layers  spectroscopy  nitridation   Synthesis, Microstructure, and Cathodoluminescence of 0001 -Oriented GaN Nanorods Grown on Conductive Graphite Substrate 期刊论文 Acs Applied Materials & Interfaces, 2013, 卷号: 5, 期号: 22, 页码: 12066-12072 F. Yuan; B. D. Liu; Z. E. Wang; B. Yang; Y. Yin; B. Dierre; T. Sekiguchi; G. F. Zhang; X. Jiang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/02/19 GaN  nanorods  graphite  crystallography  cathodoluminescence  vapor-phase epitaxy  nanowire arrays  piezoelectric nanogenerators  yellow luminescence  zinc-oxide  photoluminescence  nanostructures  deposition  mechanism  graphene   InAs-mediated growth of vertical InSb nanowires on Si substrates 期刊论文 nanoscale research letters, 2013 Li, Tianfeng; Gao, Lizhen; Lei, Wen; Guo, Lijun; Pan, Huayong; Yang, Tao; Chen, Yonghai; Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 Catalyst-free  MOCVD  InSb  Nanowire  Electron microscopy  VAPOR-PHASE EPITAXY  HETEROSTRUCTURES  TEMPERATURE  CATALYST   Theoretical analysis of the inter-diffusion coefficients in the AlGaInP material quantum well intermixing 期刊论文 2013, 卷号: 16, 页码: 738-741 作者:  Lin, T.;  Chen, R.G.;  Zhang, H.Q.;  Li, C.;  Ma, X.J. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/20 Laser diode  Quantum well intermixing  Metalorganic vapor phase epitaxy  Semiconducting III-V materials   Simulation and Growth Study of V/III Ratio Effects on HVPE Grown GaN 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTROCHEMICAL SCIENCE, 2013, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 4110-4119 作者:  Li, Hongyun;  Zhang, Lei;  Shao, Yongliang;  Wu, Yongzhong;  Hao, Xiaopeng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/23 V/III  Simulation  Hydride vapor phase epitaxy  GaN