×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [19]
内容类型
期刊论文 [19]
发表日期
2014 [5]
2012 [6]
2011 [2]
2007 [2]
2006 [2]
2002 [2]
更多...
学科主题
半导体材料 [9]
光电子学 [6]
半导体物理 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共19条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 068502
Kang, H
;
Wang, Q
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Wang, ZG
;
Hou, X
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Two-dimensional electron and hole gases in InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN heterostructure for enhancement mode operation
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 5, 页码: 054502
Yan, JD
;
Wang, XL
;
Wang, Q
;
Qu, SQ
;
Xiao, HL
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, CM
;
Feng, C
;
Yin, HB
;
Jiang, LJ
;
Li, BQ
;
Wang, ZG
;
Hou, X
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Characteristics of InGaN-based superluminescent diodes with one-sided oblique cavity facet
期刊论文
chinese science bulletin, 2014, 卷号: 59, 期号: 16, 页码: 1903-1906
Zeng, C
;
Zhang, SM
;
Liu, JP
;
Li, DY
;
Jiang, DS
;
Feng, MX
;
Li, ZC
;
Zhou, K
;
Wang, F
;
Wang, HB
;
Wang, H
;
Yang, H
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 66, 期号: 2, 页码: 20101
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Hou, X
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 10105
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Yan, JD
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
;
Hou, X
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2015/03/20
Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN heterostructures
期刊论文
physica b-condensed matter, 2012, 卷号: 407, 期号: 18, 页码: 3920-3924
Ding JQ (Ding, Jieqin)
;
Wang XL (Wang, Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao, Hongling)
;
Wang CM (Wang, Cuimei)
;
Yin HB (Yin, Haibo)
;
Chen H (Chen, Hong)
;
Feng C (Feng, Chun)
;
Jiang LJ (Jiang, Lijuan)
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2013/03/27
Thermal analysis of GaN laser diodes in a package structure
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 084209
Feng MX (Feng Mei-Xin)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu JP (Liu Jian-Ping)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zeng C (Zeng Chang)
;
Li ZC (Li Zeng-Cheng)
;
Wang HB (Wang Huai-Bing)
;
Wang F (Wang Feng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/04/02
Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN heterostructures
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 523, 页码: 88-93
Ding, JQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Yin, HB
;
Chen, H
;
Feng, C
;
Jiang, LJ
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2013/02/07
Optimization of the cavity facet coating in high power GaN-based semiconductor laser diodes
期刊论文
science china-technological sciences, 2012, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 883-887
Feng, MX
;
Zhang, SM
;
Jiang, DS
;
Wang, H
;
Liu, JP
;
Zeng, C
;
Li, ZC
;
Wang, HB
;
Wang, F
;
Yang, H
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Thermal characterization of GaN-based laser diodes by forward-voltage method
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 9, 页码: 94513
Feng, MX
;
Zhang, SM
;
Jiang, DS
;
Liu, JP
;
Wang, H
;
Zeng, C
;
Li, ZC
;
Wang, HB
;
Wang, F
;
Yang, H
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/03/17
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace