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Adjustment of Al atom migration ability and its effect on the surface morphology of AlN grown on sapphire by metal–organic chemical vapor deposition
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 105010
作者:
Zhang, Yuheng
;
Yang, Jing
;
Zhao, Degang
;
Liang, Feng
;
Chen, Ping
;
Liu, Zongshun
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2022/03/28
Stepped upper waveguide layer for higher hole injection efficiency in GaN-based laser diodes
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2021, 卷号: 29, 期号: 21, 页码: 33992-34001
作者:
Hou, Yufei
;
Zhao, Degang
;
Chen, Ping
;
Liang, Feng
;
Liu, Zongshun
;
Yang, Jing
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2022/03/28
The Atomic Rearrangement of GaN-Based Multiple Quantum Wells in H-2/NH3 Mixed Gas for Improving Structural and Optical Properties
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2021, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 161
作者:
Ben, Yuhao
;
Liang, Feng
;
Zhao, Degang
;
Yang, Jing
;
Liu, Zongshun
;
Chen, Ping
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2022/03/24
Suppression of Surface Defects and Vibrational Coupling in GaN by a Graphene Monolayer
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2021, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 2100489
作者:
Zheng, Changcheng
;
Ning, Jiqiang
;
Ye, Hongang
;
Zhang, Lixia
;
Xu, Ke
;
Zhao, Degang
;
Ni, Zhenhua
;
Wang, Jiannong
;
Xu, Shijie
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2022/03/23
Improvement of interface morphology and luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells by thermal annealing treatment
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2021, 卷号: 31, 页码: 105057
作者:
Hou, Yufei
;
Liang, Feng
;
Zhao, Degang
;
Liu, Zongshun
;
Chen, Ping
;
Yang, Jing
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2022/03/23
Mechanism of defects and electrode structure on the performance of AlN-based metal semiconductor metal detectors
期刊论文
MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2021, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 125902
作者:
Li, Guanghui
;
Wang, Pengbo
;
He, Xinran
;
Meng, Yulong
;
Liang, Feng
;
Zhou, Mei
;
Zhao, Degang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2022/03/23
Role of hydrogen treatment during the material growth in improving the photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 874, 页码: 159851
作者:
Hou, Yufei
;
Liang, Feng
;
Zhao, Degang
;
Chen, Ping
;
Yang, Jing
;
Liu, Zongshun
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2022/03/28
The influence of residual GaN on two-step-grown GaN on sapphire
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 期号: 135, 页码: 105903
作者:
Peng, Liyuan
;
Liu, Shuangtao
;
Yang, Jing
;
Zhao, Degang
;
Liang, Feng
;
Chen, Ping
;
Liu, Zongshun
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2022/03/24
Influences of gallium and nitrogen partial pressure on step-bunching and step-meandering morphology of InGaN quantum barrier layer
期刊论文
MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS, 2021, 卷号: 29, 页码: 102923
作者:
Peng, Liyuan
;
Zhao, Degang
;
Liang, Feng
;
Wang, Wenjie
;
Liu, Zongshun
;
Chen, Ping
;
Yang, Jing
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2022/03/23
Improving optical and electrical properties of InGaN-based green laser diodes by graded-compositional waveguide structure
期刊论文
Optical Materials, 2020, 卷号: 110, 页码: 110477
作者:
Yufei Hou
;
Degang Zhao
;
Feng Liang
;
Xiaowei Wang
;
Jing Yang
;
Ping Chen
;
Zongshun Liu
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提交时间:2021/05/21
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