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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects 期刊论文 Advanced Materials, 2018 作者:  Zhao XL(赵晓龙);  Liu Q(刘琦);  Liu S(刘森);  Niu JB(牛洁斌);  Zhang XM(张续猛) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/04/10 Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Cao RR(曹荣荣);  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Lv HB(吕杭炳);  Wang Y(王艳) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/07/12 Emulating Short-Term and Long-Term Plasticity of Bio-Synapse Based on Cu,a-Si,Pt Memristor 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Wu FC(伍法才);  Zhang XM(张续猛);  Liu S(刘森);  Liu M(刘明);  Wu QT(吴全潭) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/07/12