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| 一种高光谱图像传感器的单片集成方法 专利
专利号: CN201610214392.0, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-07-06
作者: 崔虎山; 项金娟 ; 贺晓彬; 杨涛; 李俊峰
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑
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| 形成纳米线阵列的方法 专利
专利号: CN201410766450.1, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-07-06
作者: 洪培真; 徐秋霞; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种金属薄膜溅射的PVD工艺 专利
专利号: CN201510375208.6, 申请日期: 2018-12-04, 公开日期: 2017-01-11
作者: 高建峰; 唐兆云; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者: 高建峰; 白国斌; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31
作者: 秦长亮; 徐强; 洪培真; 殷华湘; 尹海洲
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| Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells 会议论文
作者: Zhentao Li; Zheng ZS(郑中山); Zhao K(赵凯); Li B(李博); Luo JJ(罗家俊)
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| 一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: US10115804, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2015-11-12
作者: 王桂磊; 李俊峰; 刘金彪; 赵超
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| 一种金属硅化物的形成方法 专利
专利号: US10096691, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2016-09-15
作者: 张青竹; 赵利川; 杨雄坤; 殷华湘; 闫江
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| Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies 期刊论文
Microelectronic Engineering, 2018
作者: Mao SJ(毛淑娟); Wang GL(王桂磊); Xu J(许静); Zhang D(张丹); Luo X(罗雪)
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