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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 专利 专利号: CN200710063375.2, 申请日期: 2009-12-16, 公开日期: 2008-07-16 作者:  叶甜春;  尹军舰;  徐静波;  张海英 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统 专利 专利号: CN200510071093.8, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2006-11-29 作者:  张海英;  李海鸥;  尹军舰;  和致经;  叶甜春 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26 X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 4，832-835 作者:  吴茹菲;  张海英;  尹军舰;  张健;  刘会东 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/05/27 Pin二极管  低损耗  高隔离 开关   1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 4，668-671 作者:  徐静波;  黎明;  张海英;  王文新;  尹军舰 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/27 Mhemt  Pt/ti/pt/au  Ti/pt/au  Spdt  Mmic   GaAs PIN二极管的新等效电路模型 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 5，672-676 作者:  吴茹菲;  张海英;  尹军舰;  李潇;  刘会东 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/05/27 Gaas  Pin二极管  模型  参数提取   一种噪声系数为1.4dB的S波段MMIC低噪声放大器 期刊论文 电子器件, 2007, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 4,808_810,814 作者:  尹军舰;  黄华;  张海英;  叶甜春;  杨浩 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 微波单片集成电路  低噪声放大器  赝配高电子迁移率晶体管  S波段   单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 8, 页码: 4,1424_1427 作者:  徐静波;  张海英;  尹军舰;  刘亮;  李潇 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 单片集成  增强型  耗尽型  赝配高电子迁移率晶体管  阈值电压   增强型InGaP／Al GaAs／InGaAsPHEMT小信号等效电路参数的提取 期刊论文 半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 4,361_364 作者:  张海英;  叶甜春;  刘亮;  李潇;  尹军舰 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26 增强型   功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 4,1860_1863 作者:  张健;  刘训春;  牛洁斌;  刘亮;  张海英 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/05/26 最大振荡频率/功率增益截止频率   截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 4,1864_1867 作者:  徐静波;  刘亮;  张海英;  尹军舰;  刘训春 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 截止频率  高电子迁移率晶体管  Ingaas/inalas Inp