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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文 Optical Materials, 2018 作者:  Yang, J.;  Liu, S.T.;  Du, G.T.;  Zhang, Y.T.;  Li, M. 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2019/03/27 Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2017 作者:  Liu, S.T.;  Yang, J.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liang, F. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/02/05 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文 Materials Technology, 2016 作者:  Liang, F.;  Chen, P.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liu, Z.S. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/03/11