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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 96 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4 作者:  Li, X;  Liu, ZS;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2016, 卷号: 24, 期号: 13 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文 SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 97 作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Yang, J;  Jiang, DS;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Shockley-Read-Hall recombination and efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 14 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2017/03/11 Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC 期刊论文 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 651 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11