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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 1411-1414 作者:  刘林生;  王文新;  刘肃 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 分子束外延  砷化镓衬底  铝镓砷材料  Aluminum gallium arsenide  Gallium arsenide substrate  Photoluminescence spectra   GaAs（110）量子阱的电子自旋弛豫 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 856-859 作者:  刘林生;  刘肃;  王文新;  赵宏鸣;  刘宝利 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27 电子自旋弛豫  多量子阱  分子束外延  Electron spin relaxation  Multiple quantum wells (MQWs)  Time resolved photoluminescence (TRPL)   GaAs（110）量子阱材料生长和光学特性 期刊论文 光学精密工程/Guangxue Jingmi Gongcheng/Optics and Precision Engineering, 2007, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 678-683 作者:  刘林生;  刘肃;  王文新;  赵宏鸣;  刘宝利 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 光荧光谱  砷化镓  量子阱  分子束外延  GaAs  Material growth  Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED)   MEMS薄膜磁学特性的在线测试结构 期刊论文 微纳电子技术, 2005, 期号: 4, 页码: 184-187 作者:  刘林生;  刘肃;  黄庆安 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 磁导率  磁化强度  在线测试结构  微机电系统薄膜