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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：北京航空航天大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Addressing Failure and Aging Degradation in MRAM/MeRAM-on-FDSOI Integration 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2019, 卷号: 66, 页码: 239-250 作者:  Cai, Hao;  Wang, You;  Naviner, Lirida Alves de Barros;  Liu, Xinning;  Shan, Weiwei 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/30 Fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI)  magnetic tunnel junction (MTJ)  spin transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM)  voltage-controlled magnetic anisotropy (VCMA)  magnetoelectric random access memory (MeRAM)  aging  reliability  variability   Voltage-Controlled Magnetoelectric Memory Bit-cell Design With Assisted Body-bias in FD-SOI 会议论文 GLSVLSI '19 - PROCEEDINGS OF THE 2019 ON GREAT LAKES SYMPOSIUM ON VLSI, 2019-01-01 作者:  Cai, Hao;  Han, Menglin;  Shan, Weiwei;  Yang, Jun;  Wang, You 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30 VCMA-MTJ  design boundary  voltage assisted techniques  ultra-low power  FD-SOI   Enabling Resilient Voltage-Controlled MeRAM Using Write Assist Techniques 会议论文 2018 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), 2018-01-01 作者:  Cai, Hao;  Wang, You;  Kang, Wang;  Naviner, Lirida;  Shan, Weiwei 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30