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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The conduction mechanism of stress induced leakage current through ultra-thin gate oxide under constant voltage stresses 期刊论文 中国物理英文版, 2005 Wang, YG; Xu, MZ; Tan, CH; Zhang, JF; Duan, XR 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/16 stress induced leakage current  oxygen-related donor-like defects  trap-assisted tunnelling  ultra-thin gate oxide  CURRENT TRANSPORT MECHANISM  ASSISTED TUNNELING MODEL  SILICON DIOXIDE FILMS  DEGRADATION  INSULATORS  BEHAVIOR  FIELD  SIO2   Weibull characteristics of n-MOSFET's with ultrathin gate oxides under FN stress and lifetime prediction 期刊论文 microelectronics reliability, 2002 Mu, FC; Xu, MZ; Tan, CH; Duan, XR 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 DIELECTRIC-BREAKDOWN  THIN  WEAROUT  ACCELERATION  SIO2-FILMS   A statistical equivalent relationship between TDDW and TDDB of ultra-thin oxides 期刊论文 chinese journal of electronics, 2002 Mu, FC; Xu, MZ; Tan, CH; Duan, XR 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 time-dependent dielectric wearout (TDDW)  time-dependent dielectric breakdown (TDDB)  Weibull distribution  MOSFET reliability  FN stress  DIELECTRIC-BREAKDOWN  ACCELERATION  STRESS   Stress-induced high-field gate leakage current in ultra-thin gate oxide 期刊论文 固体电子学, 2000 Wei, JL; Mao, LF; Xu, MZ; Tan, CH; Duan, XR 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/10 SILC  ultra-thin gate oxide  proportioned difference operator  SIO2-FILMS  MECHANISM